indirect bandgap semiconductor
מוליך למחצה על פס אנרגיה עקיף

ראה מונחים נוספים:
 
מוליך למחצה אשר בו תחתית פס המוליכות אינה מתרחשת ב 0 = k, אשר בו מתרחש החלק העליון של פס הערכיות. האנרגיה המשוחררת במהלך רקבומבינציה של אלקטרונים עם בור מומרת בעיקר לפונון.לדוגמה = Si, Ge, GaP.

[#6101] נוסף בתאריך 07-08-2006

« המונחים הקודמים
מוליך למחצה מנוון
degenerate semiconductor
מוליך למחצה מורכב
compound semiconductor
מוליך למחצה מהותי
intrinsic semiconductor
מוליך למחצה יסודי
elemental semiconductor
מוליך למחצה טפל
extrinsic semiconductor
המונחים הבאים »
מוליכים למחצה BVI-AII, VI-II
AII-BVI, II-VI, semiconductors
מוליכים למחצהBV-AIII, V-III
AIII-BV, III-V, semiconductors
מופץ
diffusant

תגובות (0)

שנה » ניווט
דרכונט
גישה לאתר דרכונט
לא מחובר. להתחברות:
דוא"ל:
סיסמה:
שכחתי סיסמה שכחתי סיסמה
משתמש חדש משתמש חדש
 זכור אותי  כן לא

Top10
מבוקשים
חדשים
אחרונים