|
קשר בין מקדם הדיפוזיה והניידות של נשא מטען.
|
[#6144] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
back contact
ion beam
variable shape beam
electron beam, e-beam
beam |
|
המונחים הבאים »
surface dopant concentration
deep level
Fermi level
recombination
chip |
תגובות (0)
|