גידול גבישים של GaAs על Si בעזרת ששכבת ממשק בעלת מבנה שריג בין ה- GaAs וה – Si (למשל סטרונטיום טיטינאט – אל מוליך שנצמד גם ל - GaAs וגם ל – Si ויש לא מבנה שריג במחצית הדרך בין השניים. מאפשר אינטגרציה של טכנולוגיית IC (מעגלים משולבים) מבוססת Si פונקציות חשמליות) עם התקנים אופטיים מבוססי GaAs (פונקציות פוטוניות) וגם נותן זמינות של מצעי GaAs בעלי קוטר גדול, להתקנים אחרים.