ראה מונחים נוספים:
base punchthrough
base pushout
bipolar transistor, BJT
common base current gain
ראה מונחים דומים:
base
מונחון: [05] ייצוג נתונים
|
אזור בטרנזיסטור דו קוטבי שממוקם בין פולט וקולט. בדרך כלל מסוג n כך שאלקטרונים ניידים ביותר משמשים כנשאים קטנים בבסיס. עליו להיות דק ביותר על מנת לאפשר העברה מהירה של נשאים קטנים מהפולט לקולט. שדה חשמלי נוצר בבסיס על ידי אילוח לא אחיד על מנת להאיץ נשאים קטנים העוברים מהפולט לקולט.
|
[#5904] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
inter-layer, inter-level dielectric, ILD
boron
hole
leak detector
KOH
|
|
המונחים הבאים »
contamination control
gallium antimonide, GaSb
gallium arsenide, GaAs
gallium nitride [GaN]
gallium phosphide, [GaP]
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
