gallium antimonide, GaSb
גאליום אנטימוניד, GaSb

 
מוליך למחצה מעורב III-V. פער אנרגיה פא =eV 0.72, ישיר. ניידות של אלקטרונים ובורות 5000 ו- 850 cm2/V-s בהתאמה.

[#6248] נוסף בתאריך 07-08-2006

« המונחים הקודמים
בקרת מזהמים
contamination control
בידוד בין שכבתי, בין – רמתי, ILD
inter-layer, inter-level dielectric, ILD
בור
hole
המונחים הבאים »
גאליום ארסניד GaAs
gallium arsenide, GaAs
גאליום ניטריד
gallium nitride [GaN]
גאליום פוספיד
gallium phosphide, [GaP]
גבול הגרעין
grain boundary
גביש
crystal

תגובות (0)

שנה » ניווט
דרכונט
גישה לאתר דרכונט
לא מחובר. להתחברות:
דוא"ל:
סיסמה:
שכחתי סיסמה שכחתי סיסמה
משתמש חדש משתמש חדש
 זכור אותי  כן לא

Top10
מבוקשים
חדשים
אחרונים