CP-4 etch
צריבת CP-4

 
תמיסה המשמשת לליטוש כימי של פני שטח Si. מורכבת מ HF : HNO3:CH3COOH בתמיסה ביחס של 3:5:3

[#6026] נוסף בתאריך 07-08-2006

« המונחים הקודמים
צמיחת יתר צידית גבישית
Epitaxial Lateral Overgrowth [ELO]
צמיחת הגביש ע
Czochralski crystal growth, CZ
צמד פרנקל
Frenkel pair
 המונחים הבאים »
קבוע בולצמן , k
Boltzmann constant, k
קולטן
acceptor

תגובות (0)
שנה » ניווט
דרכונט
גישה לאתר דרכונט
לא מחובר. להתחברות:
דוא"ל:
סיסמה:
שכחתי סיסמה שכחתי סיסמה
משתמש חדש משתמש חדש
 זכור אותי  כן לא
Top10
מבוקשים
חדשים
אחרונים