ראה מונחים נוספים:
thermal oxidation, thermal oxide
|
דגם המתאר את הקינטיקה של חמצון תרמי של סיליקון, עבור תחמוצות שעובין עולה על 30 nm. מתבסס על ראקציה כימית בין סיליקון וחומרים מחמצנים. מניח התפתחות תחמוצת בראקציה מבוקרת בשלב המוקדם של החימצון (משטר לינארי), ונשלט על ידי הפצת חומרי החמצון בתוך התחמוצת, במהלך התחמצנות ארוכה (משטר פרבולי). אחד הדגמים המבוססים ביותר בעיבוד סיליקון.
|
[#6052] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
four-point probe
grain
germanium, Ge
endpoint detection
float-zone crystal growth [FZ]
|
|
המונחים הבאים »
dopant
dielectric
diborane, B2H6
diode
Double Implanted MOS [DIMOS]
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
