germanium, Ge
גרמניום, Ge

ראה מונחים נוספים:
מוליך למחצה יסודי
elemental semiconductor

 
מוליך למחצה יסודי. פער אנרגיה פא =eV 0.66, פער פס עקיף. ניידות של אלקטרונים ובורות 3900 ו- 1900 cm2/V-s בהתאמה. לא משמש להכנת התקנים של חסר בתחמוצת באיכות גבוהה ופער פס צר יחסית. בעל חשיבות גדלה בהקשר עם סיליקון כ- SiGe.

[#6267] נוסף בתאריך 07-08-2006

« המונחים הקודמים
גידול גביש אזור – ציפה
float-zone crystal growth [FZ]
גודל קריטי
critical dimension [CD]
גובה המחסום
barrier height
 המונחים הבאים »
דגם Deal Grove
Deal - Grove model

תגובות (0)
שנה » ניווט
דרכונט
גישה לאתר דרכונט
לא מחובר. להתחברות:
דוא"ל:
סיסמה:
שכחתי סיסמה שכחתי סיסמה
משתמש חדש משתמש חדש
 זכור אותי  כן לא
Top10
מבוקשים
חדשים
אחרונים