|
טרנזיסטור תת – שכבתי מרוקן מייצג דור חדש אל MOSFET שנבנה אל תוך תת – שכבה SOI, כך ששכבת Si הפעילה שלו בין המקור והנקז מרוקנת לגמרי, וכך נוצר ערוץ מוליכות גבוהה.
|
[#6125] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
quasistatic C-V
ArF excimer laser
|
|
המונחים הבאים »
I2L
Ideal MOS
bonded SOI
fully depleted SOI, FD SOI
titanium nitride, TiN
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
