|
אפשרי במצעי SOI עם שכבת סיליקון פעילה דקה ביותר. תחת מתח שער טיפוסי ב- CMOS, מתרחב אזור הריקון/ הפיכה עד למבודד.
|
[#6241] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
bonded SOI
Ideal MOS
I2L
Depleted Substrate Transistor [DST]
quasistatic C-V
|
|
המונחים הבאים »
titanium nitride, TiN
extreme UV [EUV]
Extreme UV, EUV
high-frequency C-V
deep UV [DUV]
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
