|
אזור ניקוז נוצר מעל לפני שטח ההדפס על ידי גידול גבישים סלקטיבי דרוש בערוצי MOSFET קצרים ביותר על מנת להקטין השפעות אלקטרון חם.
|
[#6164] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
endpoint
surface analysis
Caro clean
wet cleaning
dry cleaning
|
|
המונחים הבאים »
free carrier
excess carriers
low-k dielectric, low k
hydrogen termination
Front End Of Line processes [FEOL]
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
