ראה מונחים נוספים:
equivalent oxide thickness [EOT]
hafnium oxide, HfO2
hafnium silicate, HfSiO4
|
אי הולכה אשר מאופיינת על ידי קבוע אי הולכה k > 3.9 ( 3.9 הוא קבוע אי ההולכה של Si02), וכתחמוצות שער במתקני סיליקון MOS במקום Si02. מכונה "אי הולכה רב - K". גם אי הולכה המאופיינת על ידי קבוע 3.9 > k ומשמשת כ – ILD. מכונה "אי הולכה מעוטת - k".
|
[#5856] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
blank
denuded zone [DZ]
Brillouin zone
gate length
channel length
|
|
המונחים הבאים »
autodoping
Laser interferometry
aluminum, conductor, Al
aluminum, contaminant, Al
ellipsometry
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
