ראה מונחים נוספים: alternative dielectrics
gate oxide
hafnium oxide, HfO2
hafnium silicate, HfSiO4
|
מאפיין של קבוע דיאלקטרי בתחום 20-25 יציב מבחינהטרמודינמית עם סיליקון
נחשב כשער מבודד(לא מוליך) אלטרנטיבי ל"דור הבא" של טכנולוגית MOS
|
[#6340] נוסף בתאריך 07-08-2006
תגובות (0)
|