|
תמיסת HF/ מים עם אמוניום פלואוריד, NH4F, אותה מוסיפים על מנת למנוע ריקון של פלואוריד בעת חריטת תחמוצת. ב- 34% NH4F: 6.8%HF: 58.6% H2O ה – BEO חורט חריטות SiO2 בקצב של 100 nm לדקה.
|
[#5945] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
wet etching
dry etching
etching, etch
Fowler - Nordheim tunneling [F-N]
direct tunneling
|
|
המונחים הבאים »
exposure
capture cross-section
flip chip technology
lateral transistor
bipolar transistor, BJT
|
תגובות (0)
|
הפתקיות שלי (0) 
סימון טקסט 
שלח לחבר 
קשר לכאן 
תגובות (0)
