gate oxide
תחמוצת שער

ראה מונחים נוספים:
שער
gate

 
שכבת תחמוצת דקה ביותר שממוקמת בין המוליך למחצה ומגע השער בהתקני MOS. יכולה להיות דקה עד כדי 2 nm במעגלים משולבים דיגיטליים מתקדמים ועבה עד כדי 50 nm ב- MOSFET הספק דיסקרטיים.

[#6257] נוסף בתאריך 07-08-2006

« המונחים הקודמים
תחמוצת שדה
field oxide [FOX]
תחמוצת חנקן
nitric oxide [NO]
המונחים הבאים »
תנור אופקי
furnace horizontal
תנור אופקי
horizontal furnace
תנור אנכי
furnace vertical

תגובות (0)

שנה » ניווט
דרכונט
גישה לאתר דרכונט
לא מחובר. להתחברות:
דוא"ל:
סיסמה:
שכחתי סיסמה שכחתי סיסמה
משתמש חדש משתמש חדש
 זכור אותי  כן לא

Top10
מבוקשים
חדשים
אחרונים