ראה מונחים נוספים: dielectric
gate
|
שכבת תחמוצת דקה ביותר שממוקמת בין המוליך למחצה ומגע השער בהתקני MOS. יכולה להיות דקה עד כדי 2 nm במעגלים משולבים דיגיטליים מתקדמים ועבה עד כדי 50 nm ב- MOSFET הספק דיסקרטיים.
|
[#6257] נוסף בתאריך 07-08-2006
« המונחים הקודמים
field oxide [FOX]
fluorinated oxide
chemical oxide
nitric oxide [NO]
hafnium oxide, HfO2 |
|
המונחים הבאים »
burried oxide, BOX
damascene
furnace horizontal
horizontal furnace
furnace vertical |
תגובות (0)
|