מדד לפיזור האלקטרונים במוליך למחצה. פקטור יחסיות בין מהירות סחף אלקטרונים לשדה החשמלי כמו גם ריכוז הנשאים וההולכה של המוליך למחצה. יחידה s cm2/V. כמו במקרה של המסה האפקטיבית של האלקטרון, שונה ניידות האלקטרון בין מוליכים למחצה. ניידות האלקטרון ב- 300K עבור שלושה מוליכים למחצה עיקריים: Si - 1500 cm2/V s, GaAs - 7500 cm2/V s , 6H-SiC - 400 cm2/V s.